品牌：日本ENGIS　株式會社
設備名稱：手動貼蠟機，研磨機（含開槽機），拋光機
技術參數：
3.1設備總體描述：該生產線主要用于2-4inch　InP　晶圓的背面減薄。
手動上蠟機：將InP　晶圓正面粘貼在高平坦度陶瓷盤上，用于后段單面研磨及拋光。
研磨機：用來初步減薄InP　晶圓背面，盡量減少背面損傷層。
＠開槽機：用于開研磨盤溝槽，保證研磨品質穩定。
拋光機：將研磨后的InP　晶圓進行拋光，消除背面損傷層。
3.2設備規格及其型號：
手動貼蠟機：
設備的設計理念及特征
將陶瓷盤加熱，在陶瓷盤上均勻涂上固體蠟，將InP　晶圓均勻粘貼在陶瓷盤上。
并將上部的沖壓頭靠氣缸壓力來壓著粘有晶片的陶瓷盤，讓InP　晶圓牢固粘貼在陶瓷盤上。
主要規格：
設備型號EBM-200-1AL-TC
粘貼壓力MAX　100kgf　at　0.25MPa　Silicon　Pad
粘貼尺寸MAX　OD　200mm
腔U/D　氣缸Pneumatic　ram　OD63　Stoke：170mm
腔真空真空發生器
冷卻不銹鋼水管套
時間控制真空和壓力
尺寸400mm（W）300mm（D）730mm（H）
重量約100kg
特點：
水冷系統用專用冷水機控制水溫
時間控制系統采用電動氣閥
真空腔用真空發生泵
硅膠加壓PAD　晶圓TTV，BOW，WARP　穩定性高
設備要求：
真空0.6　MPa
選配：
1，冷水機；2，加熱臺EC-1200N；3，ENGIS　固體蠟；4，陶瓷盤
單面研磨設備：
設備的設計理念及特征
搭載開槽裝置的超高精密研磨設備EJW-400IFN　是采用高剛性機體和獨自開發的水冷式主
軸，經常保持一定的定盤溫度，并且可以在超低震動狀態下高精度旋轉。另外，由于采用
高精度的開槽裝置，設備可以經常維持穩定高精度的定盤平坦度進行加工。
主要規格：
1-1研磨設備
設備型號EJW-400IFN
研磨盤直徑外徑φ380mm；內徑φ140mm
定盤轉速10~350rpm　可調（軟起動/停機）
主電機200V　1.5Kw　3相
定盤冷卻方式恒溫水循環方式
陶瓷修整輪ACR-102S　X　3組
加壓方式自重加壓
工件固定方式通過使用陶瓷修正輪用滾軸手臂固定
主軸部分高剛性水冷主軸，0-350rpm
加工時間999分59秒

單面拋光設備：
設備的設計理念及特征
本設備是搭載φ300mm（12英寸）定盤的高精度、高效率的拋光機。任何人通過配置在設
備后部的臺式定盤修正機都可以非常容易的實現定盤平面度數μm以內的修正，從而實現
高精度拋光加工。
主要規格：
設備型號EJ-380INWS
定盤直徑外徑φ380mm×內徑φ140mm（標準尺寸）
水冷部位密閉型冷卻水循環式（內循環分離式）
主電機0.4Kw
定盤轉速10~150rpm　付低速開始/低速停止功能
加工軸數量2軸
修正圈外徑φ178mm×內徑φ140mm（ACR-102S）
加壓方式自重加壓
《安全裝置》緊急停止按鈕設備正面1個φ30mm　按壓鎖定重置式
《設備概要》
尺寸705mm×750mm×680mmH*含防塵蓋高度
重量100Kg（NET）

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主要產品:

材料制程：

Edge Grinder,Edge Polisher,Edge Profile,Single/Double Side Lapper&Polisher,Wet Etch

芯片制程：

CMP,Dry Etch,PVD,CVD,Implanter,Asher,RTP,LD Chip Prober,IGBT Tester

封裝制程：

Grinder,Taper/De-Taper,Wafer Mounter,Dicing saw,Laser saw,Diamond Scriber,Cleaver,Breaker,Wafer

Die Expander,Auto Molding,DAF/BG/DC Tape

解決方案：

光通信芯片：背面研磨拋光、退火、劃片、裂片、擴膜、測試分選、外觀檢查方案

射頻類芯片：刻蝕、背面研磨拋光、退火、貼膜、劃片方案

IGBT：離子注入、鍍膜、刻蝕、退火、貼膜撕膜，減薄，劃片方案

MEMS：CMP、硅深刻蝕、鍍膜、干法去膠、貼膜撕膜、減薄、劃片、擴膜方案

CMOS 圖像傳感器：背面減薄、高速切割、超聲缺陷檢測方案

TSV：通孔刻蝕、電鍍、臨時鍵合、減薄、CMP、晶圓級塑封方案