青島賽瑞得偉創電子科技有限公司供應的磷化銦單晶爐光通信芯片設備，規格可按晶圓尺寸與爐膛容積定制，常見爐體口徑適配2~6英寸工藝需求，具體尺寸以客戶工藝確認。設備爐體采用耐高溫合金與高純石英內襯組合，真空腔體經潔凈裝配與氣密檢測，適配高溫單晶生長環境。

主要參數方面，工作溫度常見區間為800~1200℃，控溫精度可達±0.5℃量級，真空度與氣氛系統按工藝配置，支持多段溫區獨立調節。設備用于磷化銦單晶生長及光通信芯片上游材料制備，兼顧薄膜沉積、氧化擴散、真空退火等工藝場景。

產品特點：爐體熱場結構自主設計，溫場均勻性穩定；真空氣氛與自動化控制系統配套，工藝重復性好；可提供科研樣機、中試及量產機型，支持非標定制。公司具備潔凈裝配廠房與出廠檢測流程，設備按ISO9001體系管控，年綜合交付能力大于1000臺。價格面議，歡迎來電詢價。

青島賽瑞得偉創電子科技有限公司經營范圍包括：LPCVD低壓氣相沉積、LPCVD低壓氣相沉積設備、LPCVD低壓氣相沉積系統、LPCVD低壓氣相沉積爐管、LPCVD低壓氣相沉積裝置、LPCVD低壓氣相沉積工藝設備、LPCVD低壓氣相沉積鍍膜設備、LPCVD低壓氣相沉積半導體設備、LPCVD低壓氣相沉積真空設備、LPCVD低壓氣相沉積薄膜設備、LPCVD低壓氣相沉積量產設備、法拉*旋光片液相外延爐、法拉*旋光片液相外延爐設備、法拉*旋光片液相外延爐系統、法拉*旋光片LPE液相外延爐、法拉*旋光片液相外延爐生長設備、法拉*旋光片液相外延爐磁光晶體設備、