比可視光波長(zhǎng)更長(zhǎng)的紅外線光，也可以在半導(dǎo)體硅芯片內(nèi)做光電變換。可是至當(dāng)前為止，CCD無(wú)法將這些光電變換后的電荷，以有效的方法收集到感測(cè)器內(nèi)。為此，索尼在1998年新開發(fā)的“EXVIEW?HAD?CCD”技術(shù)就可以將以前未能有效利用的近紅外線光，有效轉(zhuǎn)換成為映像資料而用。使得可視光范圍擴(kuò)充到紅外線，讓感亮度能大幅提高。利用“EXVIEWHAD?CCD”組件時(shí)，在黑暗的環(huán)境下也可得到高亮度的照片。而且之前在硅晶板深層中做的光電變換時(shí)，會(huì)漏出到垂直CCD部分的SMEAR成分，也可被收集到傳感器內(nèi)，所以影響畫質(zhì)的雜訊也會(huì)大幅降低。線陣CCD有單溝道和雙溝道之分，其光敏區(qū)是MOS電容或光敏二極管結(jié)構(gòu)，生產(chǎn)工藝相對(duì)較簡(jiǎn)單。它由光敏區(qū)陣列與移位寄存器掃描電路組成，特點(diǎn)是處理信息速度快，電路簡(jiǎn)單，易實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)控制，但獲取信息量小，不能處理復(fù)雜的圖像（線陣CCD如右圖所示）。面陣CCD的結(jié)構(gòu)要復(fù)雜得多，它由很多光敏區(qū)排列成一個(gè)方陣，并以一定的形式連接成一個(gè)器件，獲取信息量大，能處理復(fù)雜的圖像。光電荷的轉(zhuǎn)移途徑有CCD表面溝道（SCCD)和體溝道（BCCD,也稱為埋溝道CCD)兩種方式。表面溝道CCD的電荷轉(zhuǎn)移途徑距離半導(dǎo)體-絕緣體分界面較近，工藝簡(jiǎn)單，動(dòng)態(tài)范圍大，但信號(hào)電荷的轉(zhuǎn)移受表面態(tài)的影響，轉(zhuǎn)移速度和轉(zhuǎn)移效率低，工作頻率一般在10MHz以下。為了消除這種現(xiàn)象，以提高CCD的工作速度，用離子注入方法轉(zhuǎn)移溝道的結(jié)構(gòu)，從而使勢(shì)能極小值脫離界面而進(jìn)入襯底內(nèi)部，形成體內(nèi)的轉(zhuǎn)移溝道，避免了表面態(tài)的影響，這就是體溝道CCD.體溝道CCD的轉(zhuǎn)移效率大大提高，工作頻率可高達(dá)100MHz，且能做成大規(guī)模器件。CCD暗電流是內(nèi)部熱激勵(lì)載流子造成的。CCD在低幀頻工作時(shí)，可以幾秒或幾千秒的累積（曝光）時(shí)間來(lái)采集低亮度圖像，如果曝光時(shí)間較長(zhǎng)，暗電流會(huì)在光電子形成之前將勢(shì)阱填滿熱電子。由于晶格點(diǎn)陣的缺陷，不同像素的暗電流可能差別很大。在曝光時(shí)間較長(zhǎng)的圖像上，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)星空狀的固定噪聲圖案。這種效應(yīng)是因?yàn)樯贁?shù)像素具有反常的較大暗電流，一般可在記錄后從圖像中減去，除非暗電流已使勢(shì)阱中的電子達(dá)到飽和。CCD的光譜靈敏度取決于量子效率、波長(zhǎng)、積分時(shí)間等參數(shù)。量子效率表征CCD芯片對(duì)不同波長(zhǎng)光信號(hào)的光電轉(zhuǎn)換本領(lǐng)。不同工藝制成的CCD芯片，其量子效率不同。靈敏度還與光照方式有關(guān)，背照CCD的量子效率高，光譜響應(yīng)曲線無(wú)起伏，正照CCD由于反射和吸收損失，光譜響應(yīng)曲線上存在若干個(gè)峰和谷。昆明康霸器械維修服務(wù)有限公司承擔(dān)著全國(guó)上百家大中型放射設(shè)備：數(shù)字?jǐn)z片機(jī)DR、普通拍片機(jī)、普通胃腸、數(shù)字胃腸機(jī)（DSI）、血管造影機(jī)大C型臂、中型C臂、小C臂、乳腺機(jī)、機(jī)等多種機(jī)的維修業(yè)務(wù)。人員的技術(shù)與素質(zhì)的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，從而使客戶以優(yōu)惠的價(jià)格得到的服務(wù)，更加全面的服務(wù)于各大機(jī)構(gòu)。

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